企业简介
江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 main business:从事微电子科技产品的技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务、测试服务、系统集成、软硬件开发及销售；微电子产品测试仪器及设备的设计、开发及销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司的工商信息
- 91320583060163602C
- 91320583060163602C
- 在业
- 有限责任公司
- 2012年12月21日
- 郭维
- 500万元人民币
- 2012年12月21日 至 2032年12月20日
- 昆山市市场监督管理局
- 2016年01月08日
- 昆山玉山镇苇城南路1699号11层-1109
- 从事微电子科技产品的技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务、测试服务、系统集成、软硬件开发及销售；微电子产品测试仪器及设备的设计、开发及销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205595330U | 一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅 | 2016.09.21 | 本实用新型公开了一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅，包括：P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、 |
| 2 | CN105702674A | 一种新型的静电放电防护装置 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种新型的静电放电防护装置，包括具有第一导电类型的P外延层和具有第二导电类型的N衬底。所 |
| 3 | CN206116459U | 一种三明治式柔性电容式压力传感器 | 2017.04.19 | 本实用新型公开了一种三明治式柔性电容式压力传感器，所述柔性基底层、下金属电极层、柔性介质层、上金属电 |
| 4 | CN106098927A | 一种三明治式柔性电容式压力传感器及其制备方法 | 2016.11.09 | 本发明公开了一种三明治式柔性电容式压力传感器，所述柔性基底层、下金属电极层、柔性介质层、上金属电极层 |
| 5 | CN205595331U | 一种新型的静电放电防护装置 | 2016.09.21 | 本实用新型公开了一种新型的静电放电防护装置，包括具有第一导电类型的P外延层和具有第二导电类型的N衬底 |
| 6 | CN105702675A | 一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅，包括：P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+ |
| 7 | CN103354229B | 一种穿通型瞬态电压抑制器 | 2016.04.27 | 本发明公开了一种穿通型瞬态电压抑制器，包括P衬底，P衬底上表面设有一层氧化层，氧化层从中部划分为阳极 |
| 8 | CN103390618B | 内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器 | 2016.01.13 | 本发明公开了一种内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器，包括P型衬底，所述P型衬底上沿横向设置 |
| 9 | CN104030234B | 基于薄膜体声波谐振器的MEMS红外传感器制备方法 | 2016.01.13 | 本发明公开了一种基于薄膜体声波谐振器的MEMS红外传感器，及其制备方法：依次包括金属块、压电振荡堆和 |
| 10 | CN103354230B | 高维持电压的静电放电防护TVS器件 | 2015.10.21 | 本发明公开了一种高维持电压的静电放电防护TVS器件，包括单元器件，单元器件包括P衬底；包括P衬底，高 |
| 11 | CN204651325U | 一种基于二维设计的高面积效率二极管触发可控硅 | 2015.09.16 | 本实用新型公开了一种基于二维设计的高面积效率二极管触发可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、 |
| 12 | CN204558465U | 一种新型的高面积效率低压触发可控硅 | 2015.08.12 | 本实用新型公开了一种新型的高面积效率低压触发可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱、 P+注入区、N+注入 |
| 13 | CN204558468U | 一种具有双回滞特性的用于静电防护的可控硅 | 2015.08.12 | 本实用新型公开了一种具有双回滞特性的用于静电防护的可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+ |
| 14 | CN104810386A | 一种基于二维设计的高面积效率二极管触发可控硅 | 2015.07.29 | 本发明公开了一种基于二维设计的高面积效率二极管触发可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+ |
| 15 | CN104810367A | 一种新型的高面积效率低压触发可控硅 | 2015.07.29 | 本发明公开了一种新型的高面积效率低压触发可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+注入区、多 |
| 16 | CN104810393A | 一种具有双回滞特性的用于静电防护的可控硅 | 2015.07.29 | 本发明公开了一种具有双回滞特性的用于静电防护的可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+注入 |
| 17 | CN203998935U | 基于薄膜体声波谐振器的MEMS红外传感器 | 2014.12.10 | 本实用新型公开了一种基于薄膜体声波谐振器的MEMS红外传感器，依次包括金属块、压电振荡堆和声波反射层 |
| 18 | CN203883782U | 用于紫外探测的薄膜体声波谐振器 | 2014.10.15 | 本实用新型公开了一种用于紫外探测的薄膜体声波谐振器，包括连续堆叠在同一个衬底上成为一体的压电振荡堆和 |
| 19 | CN104038177A | 用于紫外探测的薄膜体声波谐振器及其制备方法 | 2014.09.10 | 本发明公开了一种用于紫外探测的薄膜体声波谐振器及其制备方法，包括连续堆叠在同一个衬底上成为一体的压电 |
| 20 | CN104030234A | 基于薄膜体声波谐振器的MEMS红外传感器制备方法 | 2014.09.10 | 本发明公开了一种基于薄膜体声波谐振器的MEMS红外传感器，及其制备方法，依次包括金属块、压电振荡堆和 |
| 21 | CN203675062U | 薄膜体声波谐振器结构 | 2014.06.25 | 本实用新型公开了薄膜体声波谐振器结构，包括基片和设于基片表面的压电堆，基片包括集成电路芯片和设于集成 |
| 22 | CN103731117A | 薄膜体声波谐振器结构及其制备方法 | 2014.04.16 | 本发明公开了薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，直接在集成电路芯片表面均匀旋涂一层聚酰亚胺液体涂层，然 |
| 23 | CN203386747U | 高维持电压的静电放电防护TVS器件 | 2014.01.08 | 本实用新型公开了一种高维持电压的静电放电防护TVS器件，包括单元器件，单元器件包括P衬底；包括P衬底 |
| 24 | CN203386746U | 一种穿通型瞬态电压抑制器 | 2014.01.08 | 本实用新型公开了一种穿通型瞬态电压抑制器，包括P衬底，P衬底上表面设有一层氧化层，氧化层从中部划分为 |
| 25 | CN203351597U | 内嵌齐纳二极管结构的可控硅瞬态电压抑制器 | 2013.12.18 | 本实用新型公开了一种内嵌齐纳二极管结构的可控硅瞬态电压抑制器，包括P型衬底，P型衬底上设置有高压N阱 |
| 26 | CN203351598U | 内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器 | 2013.12.18 | 本实用新型公开了一种内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器，包括P型衬底，所述P型衬底上沿横向 |
| 27 | CN103390618A | 内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器 | 2013.11.13 | 本发明公开了一种内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器，包括P型衬底，所述P型衬底上沿横向设置 |
| 28 | CN203278765U | 一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器 | 2013.11.06 | 本实用新型公开了一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，设置一个直流偏压单元为薄膜体声波谐振器提供 |
| 29 | CN103354230A | 高维持电压的静电放电防护TVS器件 | 2013.10.16 | 本发明公开了一种高维持电压的静电放电防护TVS器件，包括单元器件，单元器件包括P衬底；包括P衬底，高 |
| 30 | CN103354236A | 内嵌齐纳二极管结构的可控硅瞬态电压抑制器 | 2013.10.16 | 本发明公开了一种内嵌齐纳二极管结构的可控硅瞬态电压抑制器，包括P型衬底，P型衬底上设置有高压N阱，高 |
| 31 | CN103354229A | 一种穿通型瞬态电压抑制器 | 2013.10.16 | 本发明公开了一种穿通型瞬态电压抑制器，包括P衬底，P衬底上表面设有一层氧化层，氧化层从中部划分为阳极 |
| 32 | CN103326692A | 一种电调薄膜体声波谐振器及其制备方法 | 2013.09.25 | 本发明公开了电调薄膜体声波谐振器及其制备方法，包含在同一个衬底上连续堆叠集成为一体的声反射层及压电振 |
| 33 | CN103326689A | 一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器 | 2013.09.25 | 本发明公开了一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，设置一个直流偏压单元为薄膜体声波谐振器提供偏压 |
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